上海維安（WAYON），作為電路保護與功率控制解決方案的領(lǐng)先提供商，專(zhuān)注于電路保護元器件、功率半導體分立器件及模擬集成電路的設計、制造與銷(xiāo)售。其中，其MOS管系列產(chǎn)品在行業(yè)內享有盛譽(yù)，特別是WMJ36N65F2、WMJ53N65F2及WMJ90N65SR這三款超結MOSFET，憑借其卓越的性能和廣泛的應用領(lǐng)域，深受市場(chǎng)歡迎。以其出色的特性，成為眾多電子工程師和設計師的理想選擇。

WMJ36N65F2

WMJ36N65F2是一款N溝道超結MOSFET，專(zhuān)為高電壓、高功率應用設計。其主要參數包括：

• 封裝：TO-247，這種封裝形式確保了良好的散熱性能和機械強度，適合高功率應用。

• 漏源電壓（VDS）：650V，表明其能承受高達650V的電壓，適用于高壓電路。

• 漏極電流（ID）：在25℃下可達36A，表明其在大電流條件下仍能穩定工作。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時(shí)，僅為0.105Ω，低導通電阻有助于減少功耗，提高效率。

• 開(kāi)啟電壓（VGS(th)）：典型值為4V，較低的開(kāi)啟電壓意味著(zhù)更低的驅動(dòng)需求，適用于多種驅動(dòng)電路。

WMJ36N65F2因其出色的電氣特性和熱穩定性，能夠快速響應電路中的信號變化，從而提升整個(gè)系統的工作速度。廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、電機驅動(dòng)、逆變器及太陽(yáng)能逆變器等高電壓、大電流場(chǎng)景。

WMJ53N65F2

WMJ53N65F2同樣是上海維安推出的一款高性能N溝道超結MOSFET，其主要特點(diǎn)包括：

• 封裝：同樣采用TO-247封裝，保證了良好的散熱和機械性能。

• 漏源電壓（VDS）：與WMJ36N65F2相同，均為650V，適用于高壓環(huán)境。

• 電氣特性：雖然具體參數可能因批次不同而略有差異，但整體性能與WMJ36N65F2相近，適合類(lèi)似的應用場(chǎng)景。

在導通電阻方面，WMJ53N65F2 進(jìn)一步優(yōu)化，實(shí)現了更低的阻值，從而在大功率工作條件下依然能夠保持高效的能量轉換。其快速的開(kāi)關(guān)速度和良好的熱穩定性，使其在電源管理、電機驅動(dòng)等領(lǐng)域表現出色。WMJ53N65F2憑借其優(yōu)異的電氣性能和穩定性，在電力電子領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用，尤其是在需要高可靠性和高效率的電源系統中。

WMJ90N65SR

WMJ90N65SR作為維安MOS管系列中的高端產(chǎn)品，其性能參數更為突出：

• 漏極電流（ID）：在25℃下高達99A，遠高于WMJ36N65F2和WMJ53N65F2，適用于更大電流的應用場(chǎng)景。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時(shí)僅為0.03Ω，是這三款產(chǎn)品中最低的，進(jìn)一步降低了導通損耗，提高了系統效率。

• 開(kāi)啟電壓（VGS(th)）：典型值為3.5V，同樣保持了較低的開(kāi)啟電壓，便于驅動(dòng)。

WMJ90N65SR憑借其高電流承載能力和極低的導通電阻，特別適用于對功率要求極高的應用：大功率電源、電動(dòng)汽車(chē)充電站、工業(yè)逆變器等高要求的應用領(lǐng)域。

無(wú)論是 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 還是 WMJ90N65SR，上海維安在設計和制造過(guò)程中都嚴格遵循了高質(zhì)量標準，確保了產(chǎn)品的穩定性和可靠性。這些 MOS 管不僅在性能上表現出色，而且在封裝形式上也提供了多種選擇，以滿(mǎn)足不同客戶(hù)的安裝和使用需求。