碳化硅二極管比PN結元器件的個(gè)人行為特點(diǎn)更像一個(gè)理想化的電源開(kāi)關(guān)。肖特基二極管最重要的2個(gè)性能參數便是它的低反向恢復正電荷(Qrr)和它的修復軟化系數。低Qrr在二極管工作電壓換為反方向參考點(diǎn)時(shí)，關(guān)掉過(guò)程中所需時(shí)間，即反向恢復時(shí)間trr大大縮短。下列列出肖特基二極管trr低于0.01彼此之間。有利于用以高頻率范疇，有材料詳細介紹其輸出功率達到1MHz(也是有報導達到100GHz)。高軟化系數會(huì )降低二極管關(guān)掉所造成的EMI噪音，減少調速實(shí)際操作影響。

　　碳化硅二極管還有一個(gè)比PN結元器件優(yōu)異的指標值是正指導接電源放低，具備低的通斷耗損。碳化硅二極管也是有2個(gè)缺陷，一是反方向抗壓VR較低，一般僅有100V上下;二是反方向泄露電流IR很大。

　　碳化硅二極管是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級，以N型半導體B為負級，運用二者表面上產(chǎn)生的勢壘具備整流器特點(diǎn)而做成的金屬材料-半導體元器件。由于N型半導體中存有著(zhù)很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量的自由電荷，因此 電子器件便從濃度值高的B中往濃度值低的A中外擴散。顯而易見(jiàn)，金屬材料A中沒(méi)有空化，也就不會(huì )有空化自A向B的外擴散健身運動(dòng)。伴隨著(zhù)電子器件持續從B外擴散到A，B表層電子器件濃度值慢慢減少，表層電荷平衡被毀壞，因此就產(chǎn)生勢壘，其電場(chǎng)方向為B→A。但在該靜電場(chǎng)功效之中，A中的電子器件也會(huì )造成從A→B的飄移健身運動(dòng)，進(jìn)而消弱了因為外擴散健身運動(dòng)而產(chǎn)生的靜電場(chǎng)。當創(chuàng )建起一定總寬的空間電荷區后，靜電場(chǎng)造成的電子器件飄移健身運動(dòng)和濃度值不一樣造成的電子器件外擴散健身運動(dòng)做到相對性的均衡，便產(chǎn)生了肖特基勢壘。

　　典型性的肖特基整流管的內部電源電路構造是以N型半導體為襯底，在上面產(chǎn)生用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽(yáng)極氧化應用鉬或鋁等原材料做成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來(lái)清除邊沿地區的靜電場(chǎng)，提升水管的抗壓值。N型襯底具備不大的通態(tài)電阻器，其夾雜濃度值較H-層要高100%倍。在襯底下面產(chǎn)生N+負極層，其功效是減少負極的回路電阻。根據優(yōu)化結構主要參數，N型襯底和陽(yáng)極氧化金屬材料中間便產(chǎn)生肖特基勢壘，如下圖所示。當在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓（陽(yáng)極氧化金屬材料插線(xiàn)正級，N型襯底插線(xiàn)負級）時(shí)，肖特基勢壘層變小，其內電阻縮??；相反，若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變大，其內電阻增大。

　　上述所講解的就是碳化硅二極管與肖特基整流管的原理區別，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了解更多關(guān)于碳化硅二極管的相關(guān)信息的話(huà)，歡迎在線(xiàn)咨詢(xún)客服或是撥打本公司服務(wù)熱線(xiàn)（網(wǎng)站右上角）進(jìn)行咨詢(xún)，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！