肖特基二極管通稱(chēng)SBD，它并不是運用PN結基本原理制做的，它是以金屬材料為正級，以N型半導體為負級，運用二者表面上產(chǎn)生的勢壘具備整流器特點(diǎn)而做成的一種半導體元器件，是一種熱載流子二極管，肖特基二極管在電源電路中主要是作整流二極管、續流二極管、維護二極管等，關(guān)鍵用在低壓、大電流量的電源電路中，如電源變壓器、軟啟動(dòng)器、逆變電源、光纖通信?！　⌒ぬ鼗O管是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級，以N型半導體B為負級，運用二者表面上產(chǎn)生的勢壘具備整流器特點(diǎn)而做成的金屬材料-半導體元器件。由于N型半導體中存有著(zhù)很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量的自由電荷，因此 電子器件便從濃度值高的B中往濃度值低的A中外擴散。

　　顯而易見(jiàn)，金屬材料A中沒(méi)有空化，也就不會(huì )有空化自A向B的外擴散健身運動(dòng)。伴隨著(zhù)電子器件持續從B外擴散到A，B表層電子器件濃度值慢慢減少，表層電荷平衡被毀壞，因此就產(chǎn)生勢壘，其電場(chǎng)方向為B→A。但在該靜電場(chǎng)功效之中，A中的電子器件也會(huì )造成從A→B的飄移健身運動(dòng)，進(jìn)而消弱了因為外擴散健身運動(dòng)而產(chǎn)生的靜電場(chǎng)。當創(chuàng )建起一定總寬的空間電荷區后，靜電場(chǎng)造成的電子器件飄移健身運動(dòng)和濃度值不一樣造成的電子器件外擴散健身運動(dòng)做到相對性的均衡，便產(chǎn)生了肖特基勢壘。

　　典型性的肖特基整流管的內部電源電路構造是以N型半導體為襯底，在上面產(chǎn)生用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽(yáng)極氧化應用鉬或鋁等原材料做成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來(lái)清除邊沿地區的靜電場(chǎng)，提升水管的抗壓值。

　　N型襯底具備不大的通態(tài)電阻器，其夾雜濃度值較H-層要高100%倍。在襯底下面產(chǎn)生N+負極層，其功效是減少負極的回路電阻。根據優(yōu)化結構主要參數，N型襯底和陽(yáng)極氧化金屬材料中間便產(chǎn)生肖特基勢壘，如下圖所示。當在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓（陽(yáng)極氧化金屬材料插線(xiàn)正級，N型襯底插線(xiàn)負級）時(shí)，肖特基勢壘層變小，其內電阻縮??；相反，若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變大，其內電阻增大。

　　上述所講解的就是肖特基二極管咋電路中的應用，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了解更多關(guān)于肖特基二極管的相關(guān)信息的話(huà)，歡迎在線(xiàn)咨詢(xún)客服或是撥打本公司服務(wù)熱線(xiàn)（網(wǎng)站右上角）進(jìn)行咨詢(xún)，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！