MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場(chǎng)效應管，屬于場(chǎng)效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。

三極管和MOS管的原理并不復雜，但是分開(kāi)講述細節，反而不如對比起來(lái)容易理解。這里用一張圖，讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。

一張圖對比MOS管及三極管的工作原理

這里以NMOS和NPN三極管為例，并且以電子流（而非電流）方向為主來(lái)說(shuō)明。

一、符號

MOS管一般可以簡(jiǎn)化為三個(gè)極，分別是柵極（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控制型器件，用柵極電壓來(lái)控制源漏的導通情況；

BJT三極管有三個(gè)極，分別是基極（B）發(fā)射極（E）和集電極（C），三極管是電流控制型器件，用基極電流來(lái)控制發(fā)射極與集電極的導通情況；

二、截止區

NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓，MOS管相當于兩個(gè)背靠背的二極管，不導通；NPN三極管也一樣，如果偏壓小于閾值電壓，也相當于兩個(gè)背靠背的二極管，不導通；

三、線(xiàn)性區

NMOS如果柵上加正電壓，就會(huì )在其下感應出相反極性的負電荷，從而產(chǎn)生N型溝道，使源漏導通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點(diǎn)，產(chǎn)生的溝道就寬一點(diǎn)，導通能力就大一點(diǎn)，這就是線(xiàn)性區。

NPN管如果BE結加正向偏置導通，電子就會(huì )進(jìn)入到基區。除了被基區的P型空穴俘獲外，它們有兩個(gè)地方可以去：一個(gè)是從基極流出，一個(gè)是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會(huì )越多，這也是線(xiàn)性變化的。

四、飽和區

NMOS在漏極電壓比較高時(shí)，會(huì )使溝道夾斷，之后即使電壓升高，電流不會(huì )再升高，因此叫做飽和區；

NPN三極管在集電極電壓比較高時(shí)，也會(huì )幾乎全部收集到從發(fā)射極過(guò)來(lái)的電子，電壓再升高也沒(méi)有辦法收集到更多，也是它的飽和區。

五、電流電壓曲線(xiàn)

在線(xiàn)性區，隨著(zhù)電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。