mos管一般就是pmos，靠空穴流動(dòng)運送電流的mos管。那要如何選擇一個(gè)合適的mos管呢？

　　一、選擇n溝道還是p溝道。在典型的功率應用中，mos管接地，負荷連接到干線(xiàn)電壓時(shí)，該mos管管構成低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中，應采用n溝道mos管，這是關(guān)閉或導通部件所需的電壓。mos管連接到總線(xiàn)和負荷接地時(shí)，請使用高壓側開(kāi)關(guān)。通常在這個(gè)中采用p溝道的mos管，也是為了考慮電壓驅動(dòng)。選擇適合應用的設備，必須確定驅動(dòng)設備所需的電壓和設計中比較簡(jiǎn)單的執行方法。

　　二、確定額定電流。根據電路結構，這個(gè)額定電流應該是所有情況下都能承受的較大電流。與電壓狀況類(lèi)似，設計人員務(wù)必確保選用的mos管能夠承種額定電流，即使系統產(chǎn)生尖峰電流。兩個(gè)考慮的電流狀況是連續模式和脈沖高峰。在連續導向模式下，mos管穩定，此時(shí)電流連續通過(guò)設備。脈沖尖峰是指大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)設備。只要確定了這些條件下的較大電流，就可以直接選擇能夠承受這個(gè)較大電流的設備。

　　三、計算導通損失。實(shí)際上，mos管不是理想的設備。因為在導電過(guò)程中會(huì )產(chǎn)生電力損失，所以被稱(chēng)為導電損失。mos管在“導通”時(shí)像可變電阻，由設備的RDS(ON)決定，隨著(zhù)溫度而顯著(zhù)變化。設備的功力消耗可以用Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度的變化，電力消耗也會(huì )按比例變化。對mos管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)越小，RDS(ON)越高。對于系統設計者來(lái)說(shuō)，這是根據系統的電壓需要折中權衡的地方。在便攜式設計中，采用較低的電壓更容易(更常見(jiàn))，而對于工業(yè)設計，可以使用較高的電壓。請注意RDS(ON)電阻隨電流稍微上升。RDS(ON)電阻的各種電參數變化可以在制造商提供的技術(shù)資料表中找到。

　　四、確定熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，建議采用很不好的情況計算結果。因為這個(gè)結果提供了更大的安全馀量，所以系統不會(huì )失效。mos管的資料表上有需要注意的測量數據，例如包裝部件的半導體結和環(huán)境之間的熱阻和較大結溫。

　　設備的結溫等于環(huán)境溫度極限和熱阻和功率消耗的乘積(結溫=較大環(huán)境溫度+[熱阻×功率消耗])。根據該方程可以解決系統的較大功率消耗，即根據定義相當于I2×RDS(ON)。設計者決定通過(guò)設備的較大電流，因此可以計算不同溫度的RDS(ON)。值得注意的是，在處理簡(jiǎn)單的熱模型時(shí)，設計者還必須考慮半導體結/設備外殼和外殼/環(huán)境的熱容量，即印刷電路板和封裝不會(huì )立即升溫。

　　五、決定開(kāi)關(guān)的性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數有很多，但重要的是柵極/漏極、柵極/源和漏極/源極電容器。這些電容器在設備中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損失。因為每次開(kāi)關(guān)都要充電。mos管的開(kāi)關(guān)速度下降，設備效率也下降。為了計算開(kāi)關(guān)中設備的總損失，設計者必須計算開(kāi)關(guān)中的損失(Eon)和關(guān)閉中的損失(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率如下:Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。柵極電荷(Qgd)對開(kāi)關(guān)性能的影響非常大。

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