維安WML7N65D1B平面MOS產(chǎn)品介紹

1. 產(chǎn)品概述

WML7N65D1B是維安（WAYON）推出的650V耐壓平面MOSFET，采用TO-220F封裝，專(zhuān)為高電壓、大電流應用場(chǎng)景設計。該產(chǎn)品結合了平面工藝的高可靠性與低導通電阻特性，適用于消費電子、工業(yè)控制、電源管理等領(lǐng)域。

2. 關(guān)鍵參數

• 耐壓等級：650V（BVDSS）

• 連續漏極電流：7A（ID）

• 導通電阻：1.12Ω（RDS(on)@VGS=10V）

• 封裝形式：TO-220F（支持高功率密度設計）

• 工作溫度范圍：-55°C至150°C（寬溫域適應性）。

3. 技術(shù)優(yōu)勢

• 平面工藝可靠性：采用成熟平面工藝，通過(guò)100%雪崩測試篩選，確保在浪涌電流和過(guò)載場(chǎng)景下的穩定性。

• 低導通損耗：優(yōu)化的RDS(on)設計，降低功耗，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源。

• 封裝兼容性：TO-220F封裝適配多種散熱方案，支持緊湊型電路設計。

4. 應用領(lǐng)域

• 消費電子：如適配器、LED驅動(dòng)、快充電源等。

• 工業(yè)控制：電機驅動(dòng)、逆變器、電源管理系統。

• 新能源領(lǐng)域：光伏逆變、儲能系統中的功率控制模塊。

5. 供應商與技術(shù)支持

東莞市美瑞電子有限公司

提示：如需更詳細參數或定制化方案，可參考維安官網(wǎng)或聯(lián)系授權代理商獲取技術(shù)支持。