維安超結MOSFET 聯(lián)系人： 曾先生 153-3800-0102
WMJ53N65F2是一款由WAYON生產(chǎn)的N溝道超級結（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數：
型號：WMJ53N65F2
制造商：WAYON
封裝形式：TO-220F
漏極至源極電壓（VDS）：650V
導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時(shí)，RDS(on)為0.078Ω。
漏極電流（ID）：在TA=25℃時(shí)，ID為50A。
功率損耗（PD）：在TA=25℃時(shí)，PD為34W。
柵極電壓（VGS）：典型值為3V。
開(kāi)啟閾值電壓（VGS(th)）：典型值為3V。
市場(chǎng)供應信息
供應商：東莞市美瑞電子有限公司
主營(yíng)業(yè)務(wù)：專(zhuān)注于銷(xiāo)售功率半導體元器件，包括進(jìn)口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產(chǎn)品。
維安超結MOSFET
聯(lián)系人： 曾先生 153-3800-0102
維安功率半導體產(chǎn)品包括：超結 MOSFET、中低壓MOSFET。美瑞電子是Wayon維安半導體較早—批代理商,于2018年面對電源市場(chǎng)推廣性能優(yōu)越的MOSFET功率器件產(chǎn)品,覆蓋650V,700V,800V多種封裝高壓超結MOSFET，歡迎點(diǎn)擊了解。
WMJ53N65F2是一款由WAYON生產(chǎn)的N溝道超級結（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數：
型號：WMJ53N65F2
制造商：WAYON
封裝形式：TO-220F
漏極至源極電壓（VDS）：650V
導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時(shí)，RDS(on)為0.078Ω。
漏極電流（ID）：在TA=25℃時(shí)，ID為50A。
功率損耗（PD）：在TA=25℃時(shí)，PD為34W。
柵極電壓（VGS）：典型值為3V。
開(kāi)啟閾值電壓（VGS(th)）：典型值為3V。
市場(chǎng)供應信息
供應商：東莞市美瑞電子有限公司
主營(yíng)業(yè)務(wù)：專(zhuān)注于銷(xiāo)售功率半導體元器件，包括進(jìn)口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產(chǎn)品。
維安超結MOSFET
聯(lián)系人： 曾先生 153-3800-0102
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：m.soso118.cn
總部地址:廣東省東莞市萬(wàn)江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
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