碳化硅二極管可以在更高的頻率下工作，并且在相同的頻率下具有更高的效率。此外，碳化硅二極管也具有正的溫度系數，并且電阻隨著(zhù)溫度的升高而逐漸增大，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅二極管非常適合并聯(lián)連接，并提高了系統的安全性和可靠性。碳化硅二極管是一種集高壓、高速、低功耗和耐高溫于一體的理想器件。目前，世界上已成功開(kāi)發(fā)出多種碳化硅器件。碳化硅SBD作為一種零恢復二極管，極大地改善了高頻電源電路。碳化硅二極管獨特的高溫特性使其在高溫環(huán)境下的電源應用中具有潛在優(yōu)勢。

　　碳化硅二極管更像是理想的開(kāi)關(guān)，而不是PN結器件。肖特基二極管的兩個(gè)最重要的性能指標是它們的低反向恢復電荷(Qrr)和恢復軟化系數。碳化硅二極管也優(yōu)于PN結器件，因為它們具有低正向導通電壓和低導通損耗。碳化硅二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)。首先，反向耐受電壓VR相對較低，通常只有大約100伏；其次，反向漏電流IR相對較大。

　　碳化硅二極管的恢復時(shí)間短，溫度對開(kāi)關(guān)行為影響不大。標準工作溫度范圍為-55℃-175℃，更加穩定，大大降低了對散熱器的要求。碳化硅二極管的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度極快，沒(méi)有反向恢復電流。與硅器件相比，它可以大大降低開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現出色的能效。更快的開(kāi)關(guān)速度也使制造商能夠減小電磁線(xiàn)圈和相關(guān)無(wú)源元件的尺寸，從而提高組裝效率，減輕系統重量并降低材料成本。

　　碳化硅二極管具有高導熱率，能有效提高功率密度。導熱系數越高，材料向環(huán)境傳熱的能力越強，器件的溫升越小，越有利于提高功率器件的功率密度，因此更適合在高溫環(huán)境下工作。碳化硅二極管的高擊穿場(chǎng)強提高了耐壓并減小了尺寸，高電子擊穿場(chǎng)強提高了半導體功率器件的擊穿電壓。同時(shí)，由于電子擊穿場(chǎng)強的增加，在增加雜質(zhì)穿透密度的情況下，可以減小碳化硅二極管功率器件漂移區的寬帶，從而可以減小功率器件的尺寸。

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