導語(yǔ)：綠星電子的功率元件可在各式電源與電機驅動(dòng)應用中實(shí)現更高的效率，功率密度和成本效益。 DG-FET?和SuperTrench?產(chǎn)品組合涵蓋20V至200V規格，可同時(shí)解決低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率問(wèn)題。

DG-FET?介紹

現代科技對運算功率的需求日益增高，云端運算、物聯(lián)網(wǎng)及社交媒體等主流趨勢，更是發(fā)揮了推波助瀾的作用。能源消耗量因此大增，電源轉換鏈也因此需要更高的能源效率。

與傳統溝槽式MOS比較:

顛覆傳統MOSFET技術(shù)的DG-FET?是利用額外的多晶矽閘來(lái)達成電荷平衡。藉由電荷平衡的方式，將致使原本MOSFET的空乏區電 場(chǎng)由一維電荷變?yōu)橛啥S的電荷分布所決定。

因此其崩潰電壓將較傳統的溝槽式MOSFET為高。

若將DG-FET?與現今傳統的溝槽式MOSFET相比，為具有相同崩潰電壓之元件，但DG-FET?可以進(jìn)一步降低磊晶層的阻值，因而可以獲得較低的導通阻抗.

另外，由于開(kāi)關(guān)雜訊更低，因此采用DG-FET?技術(shù)也能有效大幅降低汲級電荷。

Silicongear DG-FET?與友商公司Trench關(guān)鍵參數MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 測試啟機狀態(tài)次級驅動(dòng)電壓：

總結：綠星MOSFET,DG-FET系列具有高速開(kāi)關(guān)速度，業(yè)界優(yōu)異的Ron-Crss表現。

由于具有緩沖效應，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切換噪音和振鈴。RDS（on）導通電阻比其他同類(lèi)元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%。

DG-FET?和SuperTrench?產(chǎn)品組合涵蓋20V至200V規格，可同時(shí)解決低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率問(wèn)題。