碳化硅早在1842年就被發(fā)覺(jué)了，但因其制取時(shí)的加工工藝難度系數大，而且元器件的產(chǎn)出率低，造成了價(jià)錢(qián)較高，這危害了它的運用。直至1955年，生長(cháng)發(fā)育高質(zhì)量碳化硅的方式出現推動(dòng)了碳化硅二極管原材料的發(fā)展趨勢，在航空航天、航空公司、雷達探測和核能發(fā)電開(kāi)發(fā)設計的行業(yè)獲得運用。80年代，產(chǎn)品化生產(chǎn)制造的SiC進(jìn)到銷(xiāo)售市場(chǎng)，并運用于原油地暖的勘查、變頻空調的開(kāi)發(fā)設計、平板電視機的運用及其太陽(yáng)能發(fā)電轉換的行業(yè)。

　　碳化硅二極管的出現極大地改進(jìn)了集成電路工藝的特性，考慮社會(huì )經(jīng)濟和國防建設的必須，現階段，英國、法國、德國、日本國等資本主義國家正爭相資金投入重金對碳化硅原材料和元器件開(kāi)展科學(xué)研究。美國防部從二十世紀90年代就剛開(kāi)始適用碳化硅電力電子器件的科學(xué)研究，在1991年就取得成功科學(xué)研究出了阻隔工作電壓為400V的肖特基二極管。

　　碳化硅二極管于二十一世紀初變成第一例社會(huì )化的碳化硅電力工程電子元器件。英國Semisouth企業(yè)研發(fā)的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作中）早已用在英國皇家空軍多電飛機場(chǎng)。由碳化硅SBD組成的功率模塊可在高溫、髙壓、強輻射源等極端標準下應用?，F階段反方向阻隔工作電壓達到1200V的產(chǎn)品系列，其額定電壓可做到20A。碳化硅SBD的產(chǎn)品研發(fā)早已做到髙壓元器件的水準，其阻隔工作電壓超出10000V，大電流量元器件通態(tài)電流量達130A的水準。

　　碳化硅二極管的擊穿場(chǎng)強很高，電源開(kāi)關(guān)速率迅速，凈重很輕，而且容積不大，它在3KV之上的鎮流器主要用途更為具備優(yōu)點(diǎn)。2001年Cree企業(yè)研發(fā)出19.5KV的櫥柜臺面PiN二極管，同一階段日本國的Sugawara調研室也科學(xué)研究出了12KV的櫥柜臺面PiN二極管。2006年Cree企業(yè)報導了10KV、3.75V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管系列產(chǎn)品的達標率早已做到40%。

　　上述所講解的就是碳化硅二極管的行業(yè)發(fā)展趨勢，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了解更多關(guān)于碳化硅二極管的相關(guān)信息的話(huà)，歡迎在線(xiàn)咨詢(xún)客服或是撥打本公司服務(wù)熱線(xiàn)（網(wǎng)站右上角）進(jìn)行咨詢(xún)，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！