碳化硅二極管是一種適用于功率半導體的革命性材料，其物理屬性遠遠優(yōu)于硅功率器件。重要特點(diǎn)包含榜樣性的電源開(kāi)關(guān)特性、沒(méi)有反向恢復電流量、溫度基本上不容易危害電源開(kāi)關(guān)個(gè)人行為和規范操作溫度范疇為-55℃至175℃。碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）的器件選用了斷勢壘肖特基二極管構造（JBS），能夠合理減少反方向泄露電流，具有更強的耐髙壓工作能力。

　　碳化硅二極管是一種單極型器件，因而對比于傳統式的硅快修復二極管（SiFRD），碳化硅二極管具備理想化的反向恢復特點(diǎn)。在器件從正指導通往反方向阻隔變換時(shí)，基本上沒(méi)有反向恢復電，反向恢復時(shí)間低于20ns，乃至600V10A的碳化硅二極管的反向恢復時(shí)間在10ns之內。因而碳化硅二極管能夠工作中在高些的頻率，在同樣頻率下具備高些的高效率。另一個(gè)關(guān)鍵的特性是碳化硅二極管具備正的溫度系數，伴隨著(zhù)溫度的升高電阻器也慢慢升高，這與硅FRD恰好反過(guò)來(lái)。這促使碳化硅二極管特別適合串聯(lián)好用，提升了系統軟件的安全系數和可信性。

　　碳化硅二極管是髙壓迅速與低輸出功率耗損、耐熱緊密結合的理想化器件?，F階段國際性上陸續研制水準較高的多類(lèi)型的碳化硅器件。SICSBD做為零修復二極管，對高頻率輸出功率電源電路有非常大改進(jìn)。碳化硅二極管與眾不同的高溫特點(diǎn)使其在高溫自然環(huán)境的輸出功率運用中具備潛在性?xún)?yōu)點(diǎn)。碳化硅二極管因髙速trr而使開(kāi)關(guān)損耗減少，加上VF的改進(jìn)，在輸出功率二極管中能夠說(shuō)成耗損最少的二極管。碳化硅二極管因VF減少，而完成更低通斷耗損。順向特點(diǎn)數據圖表的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍色是第二代，可確定VF的減少。

　　碳化硅二極管的各類(lèi)性能指標均優(yōu)于一般雙極二極管技術(shù)性。碳化硅二極管通斷與關(guān)閉情況的變換速率十分快，并且沒(méi)有一般雙極二極管技術(shù)性電源開(kāi)關(guān)時(shí)的反向恢復電流量。在清除反向恢復電流量效用后，碳化硅二極管的耗能減少70%，可以在寬溫度范圍內維持高能耗等級，并提升設計方案工作人員優(yōu)化軟件輸出功率的協(xié)調能力。

　　上述所講解的就是碳化硅二極管的應用優(yōu)勢，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了解更多關(guān)于碳化硅二極管的相關(guān)信息的話(huà)，歡迎在線(xiàn)咨詢(xún)客服或是撥打本公司服務(wù)熱線(xiàn)（網(wǎng)站右上角）進(jìn)行咨詢(xún)，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！