CoolMOS的使用是一個(gè)趨勢，因為平面MOS已經(jīng)不能滿(mǎn)足電源的效率溫度等需求。

CoolMOS的應用優(yōu)勢

1.導通阻抗小，導通損耗小

由于SJ-MOS 的Rdson 遠遠低于VDMOS，在系統電源類(lèi)產(chǎn)品中SJ-MOS 的導通損耗必然較之VDMOS要減少的多。

其大大提高了系統產(chǎn)品上面的單體MOSFET 的導通損耗，提高了系統產(chǎn)品的效率，SJ-MOS的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類(lèi)的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上，優(yōu)勢表現的尤為突出。

2.同等功率規格下封裝小，有利于功率密度的提高

首先，同等電流以及電壓規格條件下，J-MOS 的晶源面積要小于VDMOS 工藝的晶源面積，這樣作為MOS 的廠(chǎng)家，對于同一規格的產(chǎn)品，可以封裝出來(lái)體積相對較小的產(chǎn)品，有利于電源系統功率密度的提高。

其次，由于SJ-MOS 的導通損耗的降低從而降低了電源類(lèi)產(chǎn)品的損耗，因為這些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去，我們在實(shí)際中往往會(huì )增加散熱器來(lái)降低MOS 單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內。

由于SJ-MOS 可以有效的減少發(fā)熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS 后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統電源類(lèi)產(chǎn)品的功率密度。

3.柵電荷小，對電路的驅動(dòng)能力要求降低

傳統VDMOS 的柵電荷相對較大，我們在實(shí)際應用中經(jīng)常會(huì )遇到由于IC 的驅動(dòng)能力不足造成的溫升問(wèn)題，部分產(chǎn)品在電路設計中為了增加IC 的驅動(dòng)能力，確保MOSFET 的快速導通，

我們不得不增加推挽或其它類(lèi)型的驅動(dòng)電路，從而增加了電路的復雜性。SJ-MOS 的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動(dòng)能力的要求，提高了系統產(chǎn)品的可靠性。

4.節電容小，開(kāi)關(guān)速度加快，開(kāi)關(guān)損耗小

由于SJ-MOS 結構的改變，其輸出的節電容也有較大的降低，從而降低了其導通及關(guān)斷過(guò)程中的損耗。同時(shí)由于SJ-MOS 柵電容也有了響應的減小，電容充電時(shí)間變短，大大的提高了SJ-MOS 的開(kāi)關(guān)速度。

對于頻率固定的電源來(lái)說(shuō)，可以有效的降低其開(kāi)通及關(guān)斷損耗。提高整個(gè)電源系統的效率。這一點(diǎn)尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加明顯。

MOS在發(fā)展，損耗會(huì )越來(lái)越低。電源方案只會(huì )朝著(zhù)更高效率和更小體積發(fā)展。

Coolmos的宗旨是追求：開(kāi)關(guān)低損耗。在Coolmos上，是通過(guò)P柱，形成更大的PN結，從而降低Rds。Coolmos降低了Rds，所以它的EAS能力較之平面管要低，這也對電源設計者提出了更高的要求。

SEMIHOW利用多層外延工藝實(shí)現的COOLMOS產(chǎn)品助力工程師對產(chǎn)品的小型化設計,并解決EMI,EMC測試不好通過(guò)的問(wèn)題。

較其他公司使用的溝槽超級結工藝，這些多層外延的MOSFET實(shí)現了前所未有的性能改進(jìn)。諸如智能手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁干擾（EMI），電磁兼容（EMC）受益于此優(yōu)勢。

此外，CoolMOS支持針對小體積PD電源，電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開(kāi)關(guān)和高功率密度設計，目前推出的量產(chǎn)品種包含600V~900V的電壓系列。

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