MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根據控制方式選擇使用Pmos或Nmos.

2.在選型時(shí)我們最先看的是VDSS最大漏-源電壓 能夠承受的最高的 施加電壓 這個(gè)電壓也決定了每次在電路里面選擇它施加的電壓等級，也就是我們常說(shuō)的VDSS等級 。從成本角度考慮，還需要確定所需的額定電壓，即器件所能承受的最大電壓。根據實(shí)踐經(jīng)驗，額定電壓應當大于干線(xiàn)電壓或總線(xiàn)電壓，一般會(huì )留出1.2~1.5倍的電壓余量，這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會(huì )失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大電壓會(huì )隨溫度變化而變化，設計人員必須在整個(gè)工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍，確保電路不會(huì )失效。此外，設計工程師還需要考慮其他安全因素：如由開(kāi)關(guān)電子設備(常見(jiàn)有電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。另外，不同應用的額定電壓也有所不同；通常便攜式設備選用20V的MOS管，FPGA電源為20～30V的MOS管，85～220V AC因為整流后是310V,再加上反向電壓，MOS管VDS應選為450～700V。

如下圖：

2.連續漏電流 這個(gè)電流定義在一個(gè)額定的結溫 下 它連續能夠通過(guò)的最大 直流電流 這兩個(gè)參數就決定了 MOS管的應用場(chǎng)合 所以現在的MOS管的話(huà) 我們參數基本上看 連續的漏電流 以及最大的漏源電壓。

3.mos的結電容。這個(gè)直接決定你芯片的輸出損耗，如果輸入過(guò)大，芯片可能會(huì )發(fā)熱嚴重。