維安TOLL封裝的功率MOSFET是用于大電流應用場(chǎng)景，最優(yōu)化的封裝。其產(chǎn)品系列最大電流可達300A以上，主要應用于類(lèi)似動(dòng)力BMS、逆變儲能、低速電動(dòng)車(chē)、電動(dòng)工具、無(wú)人機電調、潛航器電機等大電流應用場(chǎng)景。

TOLL 封裝的占位面積僅為 9.90 mm x 11.68 mm，與 TO-263-7L封裝相比，PCB 面積可節省 30%。它的外形僅為 2.30 毫米，占用的體積比TO-263-7L封裝小 60%。

除了尺寸更小外，TOLL 封裝還提供比 TO-263-7引線(xiàn)更好的熱性能和更低的封裝電感 (2 nH)。其開(kāi)爾文源配置確保更低的柵極噪聲和開(kāi)關(guān)損耗，與沒(méi)有開(kāi)爾文配置的器件相比，包括開(kāi)啟損耗 (EON) 降低 60%，確保在具有挑戰性的電源設計中顯著(zhù)提高能效和功率密度，改善電磁干擾(EMI) 并更容易進(jìn)行PCB 設計。

TOLL封裝產(chǎn)品特點(diǎn)：

● 小管腳, 低剖面

● 超大通流能力

● 超小的寄生電感

● 大的焊接面積

TOLL封裝產(chǎn)品優(yōu)勢：

● 高效率和低系統成本

● 更少的并聯(lián)數量和冷卻需求

● 高功率密度

● 優(yōu)秀的EMI性能

● 高可靠性

TOLL 與TO-263-7L外觀(guān)對比

30% footprint reduction !

50% height reduction !

60% space reduction !

TOLL封裝與TO-263-7L封裝的寄生參數對比

維安TOLL封裝量產(chǎn)產(chǎn)品系列

維安TOLL封裝產(chǎn)品規劃

維安TOLL封裝產(chǎn)品的優(yōu)勢介紹

較高的功率密度

新能源產(chǎn)品（新能源汽車(chē)、儲能及配套應用）與大功率電源及電機的快速發(fā)展，對產(chǎn)品能效要求進(jìn)一步提高，MOS管需要承受瞬間高能量通過(guò)，并需要在有限的材料物理散熱極限內，達到最高散熱率與最低的熱阻，在這一極限條件下，TOLL封裝超低導通阻抗和寄生電感、以及更出色的EMI表現和熱性能正好滿(mǎn)足這一發(fā)展趨勢要求，其次TOLL封裝實(shí)際電路設計應用中所需的并聯(lián)和散熱部件較少，可以節省PCB空間，從而提高整體可靠性。

較低的溫升

BMS應用中，在承受持續大電流充放電的過(guò)程中，MOSFET的溫度表現對于系統的整體效率和溫度至關(guān)重要，TOLL封裝產(chǎn)品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），在26℃環(huán)境溫度下，通過(guò)持續40A過(guò)流能力考驗：

通過(guò)PCB散熱，溫升僅為61℃；

通過(guò)鋁基板散熱，溫升僅為32℃。

PCB散熱

鋁基板散熱

較高的短路耐量

BMS和電機控制的應用中，MOSFET在短路瞬間，會(huì )承受短時(shí)間幾十uS~幾百mS的大電流沖擊，瞬態(tài)功率高達上百KW，實(shí)驗室模擬TOLL封裝產(chǎn)品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在電機高速旋轉中遇到搭接短路時(shí)的功率表現。

下圖：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH: Ids M1:MOS功耗

單體短路，VDD=88V 短路最大電流1550A，最大耗散功率101.5KW。

強壯持續線(xiàn)性工作模式

在線(xiàn)性模式下，MOSFET在飽和狀態(tài)或飽和區域中工作，它表現為柵極電壓控制的電流源，與完全導通（或完全增強）的情況相反，MOSFET在線(xiàn)性模式下的漏極-源極阻抗相對較高，因而功耗也比較高。在線(xiàn)性模式下，功率等于漏極電流與漏極-源極電壓的乘積(ID × VDS)，兩者數值都比較高，實(shí)驗室模擬TOLL封裝產(chǎn)品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在接近直流操作的長(cháng)脈沖時(shí)間測試MOSFET線(xiàn)性模式魯棒性，產(chǎn)品在線(xiàn)性模式工作條件下的功率能力，均在理論安全工作區 (SOA) 范圍內，防止器件出現任何熱失控。

下圖：VDS=28V Ids=2.5A 線(xiàn)性模式70W耗散功率持續工作。

超強的電機重載驅動(dòng)能力

3000W大功率72V電機系統，對于MOSFET器件帶載能力要求苛刻，實(shí)驗室模擬TOLL封裝產(chǎn)品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），6管橋臂MOSFET驅動(dòng)，上下兩兩交叉導通，導通時(shí)一管保持開(kāi)啟，一管為PWM調制信號，根據PWM占空比的大小來(lái)調整輸出電流的大小。

下圖：拉載感性負載，示波器波形1CH:上橋臂Vgs 2CH:上橋臂Vds

六顆MOS拉載72V 42A ，3000W直流無(wú)刷電機負載。

下圖：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH：Ids M1:MOS功耗；

上橋臂MOS能夠承受103V，1300A瞬時(shí)功率沖擊。