Coolmos過(guò)EMI電磁干擾的控制手段

SEMIHOW利用多層外延工藝實(shí)現的COOLMOS產(chǎn)品助力工程師對產(chǎn)品的小型化設計,并解決EMI,EMC測試不好通過(guò)的問(wèn)題。

多層外延工藝，通過(guò)優(yōu)化內部的電容和電阻來(lái)減少EMI電磁干擾的噪聲，最大限度的平衡電磁干擾和效率，提高產(chǎn)品穩定性。

電磁干擾EMI相對于其他友商減少3-5個(gè)DB的規格，更容易通過(guò)EMI測試。較其他公司使用的溝槽超級結工藝，這些多層外延的MOSFET實(shí)現了前所未有的性能改進(jìn)。

諸如智能手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁干擾（EMI），電磁兼容（EMC）受益于此優(yōu)勢。

此外，CoolMOS支持針對小體積PD電源，電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開(kāi)關(guān)和高功率密度設計。

目前推出的量產(chǎn)品種包含600V~900V的電壓系列，同時(shí)為您帶來(lái)包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選擇，可支持纖巧型設計。

SemiHow的總部位于韓國，擁有先進(jìn)的半導體技術(shù)，基于中國和中國先進(jìn)半導體技術(shù)的高質(zhì)量生產(chǎn)。

以中國公司的牢固合作伙伴關(guān)系為基礎。具有獨特競爭能力，并且主要專(zhuān)注于中國市場(chǎng)。