以下是碳化硅MOS（SiC MOSFET）主要品牌及其工廠(chǎng)規模的梳理，結合技術(shù)布局和市場(chǎng)競爭格局分析：

一、國際品牌

1. 英飛凌（Infineon）（德國）

   • 工廠(chǎng)規模：馬來(lái)西亞居林工廠(chǎng)三期項目建成后將成為全球最大8英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)，總投資超50億歐元，覆蓋襯底到封裝全產(chǎn)業(yè)鏈。

   • 技術(shù)優(yōu)勢：車(chē)規級產(chǎn)品市占率領(lǐng)先，覆蓋650V-1200V電壓范圍，主攻電動(dòng)汽車(chē)主驅逆變器市場(chǎng)。

2. 意法半導體（STMicroelectronics）（瑞士）

   • 工廠(chǎng)規模：全球布局研發(fā)中心，意大利、法國等地設有生產(chǎn)基地，碳化硅產(chǎn)能持續擴張以滿(mǎn)足車(chē)規需求。

   • 市場(chǎng)地位：全球前五大廠(chǎng)商之一，占約70%市場(chǎng)份額，主攻電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域。

3. 羅姆（Rohm）（日本）

   • 工廠(chǎng)規模：在日本、東南亞等地設有SiC晶圓廠(chǎng)，2023年宣布投資5.1億美元擴產(chǎn)，目標2030年碳化硅營(yíng)收占比超30%。

   • 技術(shù)特點(diǎn)：早期布局碳化硅商業(yè)化，產(chǎn)品覆蓋650V-1700V，與車(chē)企深度合作。

4. 安世半導體（Nexperia）（荷蘭）

   • 工廠(chǎng)規模：荷蘭總部主導研發(fā)，美國、馬來(lái)西亞設廠(chǎng)，2024年啟動(dòng)8英寸碳化硅晶圓試產(chǎn)，計劃2025年量產(chǎn)。

   • 應用領(lǐng)域：聚焦電動(dòng)汽車(chē)驅動(dòng)系統和工業(yè)變頻器。

5. Wolfspeed（美國）

   • 工廠(chǎng)規模：全球首家量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，2024年襯底產(chǎn)能支撐25%晶圓產(chǎn)線(xiàn)利用率，計劃進(jìn)一步擴產(chǎn)。

   • 市場(chǎng)定位：襯底供應龍頭，覆蓋車(chē)規級和工業(yè)級市場(chǎng)。

二、中國品牌

1. 三安光電（Sanan）

   • 工廠(chǎng)規模：湖南三安擁有16,000片/月6英寸產(chǎn)能，8英寸襯底試生產(chǎn)，車(chē)規級MOSFET進(jìn)入驗證階段。

   • 技術(shù)進(jìn)展：工規級1700V/1Ω和1200V/32mΩ產(chǎn)品已在光伏和充電樁領(lǐng)域小規模出貨。

2. 士蘭微（Silanw）

   • 工廠(chǎng)規模：2024年開(kāi)工8英寸SiC產(chǎn)線(xiàn)，總投資120億元，規劃產(chǎn)能6萬(wàn)片/月，2025年三季度通線(xiàn)。

   • 產(chǎn)品布局：工規級MOSFET量產(chǎn)，車(chē)規級產(chǎn)品驗證中。

3. 比亞迪半導體

   • 工廠(chǎng)規模：2024年下半年投產(chǎn)全球最大碳化硅工廠(chǎng)，產(chǎn)能為第二名的十倍，覆蓋車(chē)規全產(chǎn)業(yè)鏈。

   • 市場(chǎng)目標：打破海外壟斷，主攻新能源汽車(chē)主驅逆變器。

4. 中電科55所

   • 技術(shù)地位：國內最早實(shí)現碳化硅MOSFET量產(chǎn)，聚焦軍工和高端工業(yè)領(lǐng)域。

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   • 泰科天潤（中國碳化硅功率器件核心廠(chǎng)商之一）的工廠(chǎng)規模及技術(shù)布局梳理：

5.泰科天潤 湖南瀏陽(yáng)基地

• • 6英寸產(chǎn)線(xiàn)：一期工程于2023年建成，年產(chǎn)能6萬(wàn)片；2024年擴建二期后總產(chǎn)能提升至10萬(wàn)片/年。

  • 應用領(lǐng)域：主要生產(chǎn)SiC二極管、MOSFET等器件，覆蓋光伏逆變器、充電樁、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。

• 北京順義總部基地

  • 8英寸產(chǎn)線(xiàn)：2023年啟動(dòng)建設，計劃2025年通線(xiàn)投產(chǎn)，2028年達產(chǎn)后年產(chǎn)2萬(wàn)片8英寸晶圓。

  • 功能定位：集研發(fā)中心、總部辦公及高端器件生產(chǎn)于一體，重點(diǎn)服務(wù)新能源汽車(chē)、國家電網(wǎng)等市場(chǎng)。

• 二、產(chǎn)能擴張與投資情況

• 投資規模：湖南基地總投資約5億元（一期），北京基地一期投資4億元，累計投資超9億元。

• 設備與技術(shù)：湖南基地新增生產(chǎn)設備實(shí)現6英寸晶圓全流程生產(chǎn)，北京基地引入8英寸先進(jìn)工藝設備。

• 三、技術(shù)布局與產(chǎn)品線(xiàn)

• 核心產(chǎn)品：

  • 650V-3300V碳化硅二極管（SBD），覆蓋1A-100A電流范圍；

  • 1200V SiC MOSFET，已實(shí)現批量銷(xiāo)售。

• 技術(shù)優(yōu)勢：通過(guò)國際認證（如AEC-Q101、DNV·GL等），產(chǎn)品性能對標國際大廠(chǎng)。

• 四、產(chǎn)業(yè)鏈整合與市場(chǎng)應用

• IDM模式：覆蓋襯底、晶圓制造、器件封裝全產(chǎn)業(yè)鏈，自主可控能力突出。

• 應用領(lǐng)域：

  • 新能源：光伏逆變器、儲能系統；

  • 電動(dòng)汽車(chē)：OBC、車(chē)載DC-DC；

  • 工業(yè)：通信電源、服務(wù)器電源。

• 五、行業(yè)地位與發(fā)展規劃

• 國內領(lǐng)先：中國首家實(shí)現碳化硅器件量產(chǎn)的IDM企業(yè)，累計流片超3萬(wàn)片，通過(guò)一線(xiàn)大廠(chǎng)審廠(chǎng)。

• 目標規劃：2025年8英寸產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)后，進(jìn)一步打破國際壟斷，提升車(chē)規級產(chǎn)品占比

三、市場(chǎng)競爭格局

• 頭部集中度高：全球前五大廠(chǎng)商（英飛凌、ST、Wolfspeed、羅姆、安森美）占據約70%市場(chǎng)份額。

• 技術(shù)迭代加速：國際大廠(chǎng)主導8英寸產(chǎn)線(xiàn)升級（如英飛凌、Wolfspeed），中國廠(chǎng)商主攻6英寸產(chǎn)能擴張（三安、士蘭微）。

• 應用場(chǎng)景：電動(dòng)汽車(chē)占碳化硅市場(chǎng)77%，預計2029年占比增至82%。

數據來(lái)源與擴展

• 全球市場(chǎng)規模：2023年約27億美元，預計2029年達104億美元