材料方面

• 碳化硅 MOSFET：以碳化硅（SiC）為基礎材料，碳化硅是一種化合物半導體。其禁帶寬度是硅的 3 倍，導熱率為硅的 4-5 倍，擊穿電壓為硅的 8-10 倍，電子飽和漂移速率為硅的 2-3 倍。

• 超結 MOS：一般以硅（Si）為基礎材料，通過(guò)特殊的超結結構設計來(lái)提升性能。

結構方面

• 碳化硅 MOSFET：具有垂直導電結構，常見(jiàn)的有溝槽型和平面型等，內部有一個(gè)基于 pn 二極管的強大本體二極管。

• 超結 MOS：通過(guò)在 D 端和 S 端排列多個(gè)垂直 pn 結的結構，形成超結結構，超級結中通常使溝槽和溝槽間距盡可能小和深。

性能特點(diǎn)方面

• 導通電阻

  • 碳化硅 MOSFET：導通電阻相對超結 MOS 在同功率等級下可能更低，且碳化硅材料特性使得其導通電阻隨溫度變化較小。

  • 超結 MOS：相比普通高壓 VDMOS，導通電阻大幅下降，并且額定電壓越高，導通電阻下降越明顯。

• 開(kāi)關(guān)速度

  • 碳化硅 MOSFET：開(kāi)關(guān)速度極快，能在更高的頻率下工作，且由于不存在少數載流子，關(guān)斷時(shí)無(wú)尾電流，關(guān)斷損耗極小。

  • 超結 MOS：開(kāi)關(guān)速度也較快，但通常比碳化硅 MOSFET 稍慢，存在一定的反向恢復問(wèn)題，反向恢復電流相對較大。

• 輸出電容

  • 碳化硅 MOSFET：輸出電容電荷（Qoss）明顯較低，且與漏電壓特性的電容變化更平滑。

  • 超結 MOS：輸出電容相對較大，不過(guò)通過(guò)優(yōu)化設計也能在一定程度上降低。

• 耐壓能力

  • 碳化硅 MOSFET：憑借碳化硅材料高擊穿場(chǎng)強的特性，可實(shí)現較高的耐壓，一般可達到 1200V 及以上，甚至更高電壓等級。

  • 超結 MOS：通常能滿(mǎn)足 500V、600V、650V 及以上的高電壓應用場(chǎng)合。

應用場(chǎng)景方面

• 碳化硅 MOSFET：主要應用于對效率、功率密度和開(kāi)關(guān)速度要求極高的領(lǐng)域，如智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、光伏風(fēng)電、5G 通信等中的高頻、高壓、大功率場(chǎng)景。

• 超結 MOS：廣泛應用于中低功率水平下需要高速運行的電路，如電源適配器、LED 照明驅動(dòng)、服務(wù)器電源、家電等領(lǐng)域中的高壓開(kāi)關(guān)應用。

成本方面

• 碳化硅 MOSFET：由于碳化硅材料的制備工藝復雜，生產(chǎn)難度大，以及目前的市場(chǎng)規模相對較小等因素，成本較高。

• 超結 MOS：基于成熟的硅工藝，成本相對較低，在市場(chǎng)上具有一定的價(jià)格優(yōu)勢。