開(kāi)關(guān)電源的雷擊浪涌問(wèn)題是一個(gè)重要的考慮因素，特別是在設計用于戶(hù)外或可能遭受雷電干擾的設備時(shí)。以下是一些應對開(kāi)關(guān)電源雷擊浪涌的建議：

一、了解雷擊浪涌的起因

雷擊浪涌的起因主要包括直擊雷、傳導雷和感應雷。直擊雷是雷電直接擊中線(xiàn)路或設備，傳導雷是雷電擊中線(xiàn)路附近物體后，電流通過(guò)線(xiàn)路傳導至設備，而感應雷則是雷電在附近產(chǎn)生電磁場(chǎng)，線(xiàn)路在電磁場(chǎng)中感應出電壓和電流。此外，大型電力開(kāi)關(guān)切換時(shí)也可能在供電線(xiàn)路上感應出大的浪涌電壓和電流。

二、采取防護措施

1. 使用浪涌保護器件：

   • 陶瓷氣體放電管（GDT）：一種由電壓導通的開(kāi)關(guān)型器件，并聯(lián)在被保護設備的線(xiàn)與線(xiàn)或線(xiàn)與地端之間，用于防雷保護。

   • 瞬態(tài)抑制二極管（TVS）：一種限壓型的過(guò)壓保護器件，能以極快的速度（pS級）把過(guò)高的電壓限制在一個(gè)安全范圍之內。

   • 壓敏電阻（MOV）：以氧化鋅為材料燒結而成的半導體限壓型浪涌器件，具有優(yōu)異的非線(xiàn)性特性和超強的浪涌吸收能力。

   • 其他器件：如自恢復保險絲（PTC）、靜電保護陣列（ESD/TVS Arrays）、玻璃放電管（GGD）等，也可以用于浪涌保護。

2. 設計合理的電路布局：

   • 在布局上，應注意避免雷擊能量對敏感元件的沖擊。例如，半導體元件的GND trace應避開(kāi)Y-Cap雷擊能量泄放路徑，以避免元件損壞。

   • 對于共模雷擊，應考慮跨初、次級的安全距離，避免雷擊跳火或組件損壞。對于差模雷擊，主要對策是使用MOV或Spark Gap等組件吸收并抑制能量流入power supply內部。

3. 地線(xiàn)處理：

   • 在一次側部分，Ground的layout順序應為大電容的Ground→Current sensor→Y-Cap→一次側變壓器輔助繞組Vcc電容的Ground→PWM IC外圍組件的ground→PWM IC的ground。

   • 在二次側部分，應注意TL431的地接至第二級輸出電容的地，二次側Y-cap的出腳接至二次側變壓器的ground。

三、進(jìn)行雷擊浪涌測試

為了確保開(kāi)關(guān)電源能夠承受雷擊浪涌的沖擊，應進(jìn)行相關(guān)的測試。測試項目主要針對電源火線(xiàn)（L）、地線(xiàn)（N）、安全地（E）進(jìn)行不同組合測試，如L→E、N→E、L&N→E、L→N等。測試儀器應滿(mǎn)足IEC61000-4-5和GB/T17626.5等標準。

四、注意事項

1. 在選擇浪涌保護器件時(shí)，應考慮其鉗位電壓、通流量、響應時(shí)間等參數，以確保其能夠有效地吸收浪涌能量。

2. 在進(jìn)行電路布局時(shí)，應注意保持敏感元件與雷擊能量泄放路徑的安全距離。

3. 在進(jìn)行雷擊浪涌測試時(shí)，應確保測試電壓不超過(guò)規定值，以避免對設備造成損壞。

綜上所述，通過(guò)了解雷擊浪涌的起因、采取防護措施、進(jìn)行雷擊浪涌測試以及注意相關(guān)事項，可以有效地應對開(kāi)關(guān)電源的雷擊浪涌問(wèn)題。