肖特基二極管（Schottky Diode），也稱(chēng)肖特基勢壘二極管，其內部結構相對獨特，主要由以下部分組成：

一、主要構成部分

1. • 肖特基二極管的內部結構示意圖通常展示為一個(gè)五層器件，從下到上依次為：

   • N+陰極層：這是肖特基二極管的最底層，與陰極金屬相連，用于減小陰極的接觸電阻。

   • N型基片：位于N+陰極層之上，具有較小的通態(tài)電阻，是肖特基二極管中電子傳輸的主要通道。

   • N-外延層：這是N型基片之上的一層，摻雜濃度較低，通常使用砷等雜質(zhì)進(jìn)行摻雜。

   • 肖特基勢壘層：這是由金屬與N-外延層緊密接觸后形成的特殊區域。當金屬與N型半導體接觸時(shí)，由于兩者的功函數不同，會(huì )在接觸界面處形成電子勢壘，即肖特基勢壘。這個(gè)勢壘阻礙了電子從半導體向金屬的流動(dòng)，同時(shí)也限制了反向電流的大小。

   • 陽(yáng)極金屬：這是肖特基二極管的頂層，通常由金、銀、鋁、鉬等貴金屬制成。陽(yáng)極金屬與N-外延層之間通過(guò)肖特基勢壘相連，形成二極管的整流結構。

二、肖特基勢壘

通過(guò)調整結構參數，在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢壘。這是肖特基二極管工作的關(guān)鍵部分。

三、工作原理

1. 正向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小，二極管處于導通狀態(tài)。

2. 反向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層變寬，其內阻變大，二極管處于截止狀態(tài)。

四、工藝結構

肖特基二極管主要有兩種工藝結構：

1. 點(diǎn)接觸結構：用一根尖端細金屬絲與半導體接觸制成，通過(guò)機械接觸或用放電工藝得到一個(gè)很小的合金結。

2. 平面接觸結構：具有更大的接觸面積，通常用于需要更高電流容量的應用。

五、特點(diǎn)與應用

肖特基二極管具有正向導通壓降?。s0.45V）、反向恢復時(shí)間短、開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是一種低功耗、超高速半導體器件。然而，其反向耐壓值較低，反向漏電流較大，因此適用于低壓、大電流、高頻整流等場(chǎng)合。