采用第三代DG-FET制程，DG-FET系列具有高速開(kāi)關(guān)速度，業(yè)界優(yōu)異的Ron-Crss表現。由于具有緩沖效應，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切換噪音和振鈴。RDS（on）導通電阻比其他同類(lèi)元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%20V至250V規格，可在各式電源與電機驅動(dòng)中實(shí)現更高效率。
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