綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝，DG-FET系列具有高速開(kāi)笑速度，業(yè)界杰出的Ron-Crss性能。
綠星電子致力于通過(guò)不斷開(kāi)發(fā)新電源半導體技術(shù),產(chǎn)品和創(chuàng )新解決方案,為客戶(hù)提供卓越的設計,制造和響應能力。我們通過(guò)滿(mǎn)足其產(chǎn)品特定需求,為客戶(hù)帶來(lái)受益的產(chǎn)品。
綠星DG100N02PB使用第三代DG-FET工藝，DG-FET系列具有高速開(kāi)笑速度，業(yè)界杰出的Ron-Crss性能。綠星電子致力于通過(guò)不斷開(kāi)發(fā)新電源半導體技術(shù),產(chǎn)品和創(chuàng )新解決方案,為客戶(hù)提供卓越的設計,制造和響應能力。
綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝，DG-FET系列具有高速開(kāi)笑速度，業(yè)界杰出的Ron-Crss性能。
綠星電子致力于通過(guò)不斷開(kāi)發(fā)新電源半導體技術(shù),產(chǎn)品和創(chuàng )新解決方案,為客戶(hù)提供卓越的設計,制造和響應能力。我們通過(guò)滿(mǎn)足其產(chǎn)品特定需求,為客戶(hù)帶來(lái)受益的產(chǎn)品。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
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總部地址:廣東省東莞市萬(wàn)江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
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