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30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業(yè)界傳統的低壓MOS制程，大幅降低RDS內阻切換損失。
臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng )新技術(shù)，將內阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
美瑞電子致力于推動(dòng)品質(zhì)專(zhuān)線(xiàn)邁入普惠時(shí)代，帶入千行百業(yè)。
臺灣綠星電子創(chuàng )立于 2002 年5月，專(zhuān)注于功率半導體元件設計與銷(xiāo)售。主要應用領(lǐng)域為：電機驅動(dòng)控制、電池管理系統、電動(dòng)工具、花園工具、大型儲能裝置、工業(yè)直流馬達控制、高功率密度電源模組以及各式消費性電子產(chǎn)品。2017年全新世代 DG -FET? 金屬氧 半場(chǎng)效電晶體正式發(fā)表。
30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業(yè)界傳統的低壓MOS制程，大幅降低RDS內阻切換損失。
臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng )新技術(shù)，將內阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
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Tel: +86-769-21665206
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